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The Digora's amplifier. Part 1 : conception

Message » 04 Mar 2007 18:56

catsiano a écrit:
DIGORA a écrit:
Francisbr a écrit:Bonjour Yves,

catsiano a écrit:en 2eme etage tensions les transistors 2sc3381/2sa1349 en to126 serait parfait

Ces transistors doubles avec une Pc de 0,2W semblent mieux adaptés pour un 1er étage.

A+

Francis Brooke


Oui les 2sc3381/2sa1349 c'est bien en entrée, mais pour ca on a déjà les 2SA872 et complémentaire

Mais pour le VAS on a vraimant besoin d'avoir autant de courant ? surtout qu'on a un tampon entre le vas et les drivers ...


si ton driver demande X mA au vas pour assurer le bon fonctionnement des transi de sortie
le vas doit pouvoir assurer aussi cette demande de courant
tout depend de la qualitée que tu veut
ca peut varier d'un facteur de 2 a 10
plus le facteur sera elevé plus la distortion sera faible
de plus les transistors veront leurs températures montées , comme on sait le transistor a
une certaine temperature a de meilleurs caractéristiques qu'a froid
leur gains et vitesse peuvent doubler voir tripler
et je pense aussi plus stable au nivaux des derrives thermique!

bien sur le choix des courants depend des caractéristiques des transistors qu'on veut utiliser

yves


Oui mais là on driver mosfet avec des driver de bipo, ce qui est déjà "trop" pour certain ...

les étages en amont de ce driver n'ont quasiment rien à donner


http://perso.orange.fr/jm.plantefeve/zenith.gif

ILs sont polarisé à combien ces bipos ?
Et les mosfets ?
DIGORA
 
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Message par Google » 04 Mar 2007 18:56

Publicite

 
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Message » 04 Mar 2007 20:33

environ 10ma c'est une bonne valeur
10ma a 15ma , depend du nombre de mos que tu a l'intension de mettre en //

dison avec un ptit courant ca va arranger le probleme de mosfet qui est ca capacitée d'entrée variable ciss qui complique ca commande en regime linéaire sans parler de la capa de sortie et
et la capa de transfert inverse crss , tout ses trois capa interne on des variation differente les une par rapport au autres,

le positif dans tout ca , une meilleur stabilitée , distorsion d'intermodulation moindre car ton
mos va etre surrement plus rapide

de toute facon , pour aprecier la linearitée d'un circuit il faut la mesurer sans contre-reaction

un mauvais circuit avec beaucoup de gains (contre-reactionné bien sur) peut presenter des resultats sur le papier exeptionnelles , mais en general le son est médiocre etc..
Dernière édition par catsiano le 04 Mar 2007 21:01, édité 1 fois.
catsiano
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Message » 04 Mar 2007 20:49

le shema que tu joint plantefevre , il aurrait été judicieux d'equilibrer les resistances de gate
des transistors mos il ont pas la meme capa d'entrée l'un 600pf l'autre 900pf!!
catsiano
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Message » 04 Mar 2007 22:27

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Message » 04 Mar 2007 22:59

effectivement , de 30 a 50ohm , on est loin des 470 ohm
en faite si on calcule le temp de montée de son bidule avec les 470 ohm

on a d'1 coté une fréquence de coupure de 370khz et l'autre 600khz

2 taux de montée differents ? :-?

d'ou risque d'oscillation infrasonique , destruction des tweeter etc...
catsiano
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Message » 04 Mar 2007 23:14

Vive le quasi complementaire à Mosfet :p
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Message » 04 Mar 2007 23:31

pour le fun
un truc avec entrée symetrique , mais le probleme est la difference des caractéristiques entre le
double fet canal N et le double fet canal P meme si ils sont complémentaires il faudra en selectionner 2 paires assez proche , disont 1 chance sur 100 a mon avis pour trouver un couple
gagnant



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catsiano
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Message » 04 Mar 2007 23:35

pour le fun !! quasi quasi simple
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Message » 05 Mar 2007 0:37

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Message » 05 Mar 2007 1:24

il va falloir tester les sous ensembles distorsion vitesse de montée
avant assemblage finale
catsiano
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Message » 05 Mar 2007 1:43

Aussi tester avec ou sans mirroir


Si non pour l'étage de sortie, qu'est ce que tu pense d'un darlington inversé ( compound ou darlingnot) mais pour du quasi complementaire !

http://fulloc.free.fr/digora/sch_web/BI ... hannel.PNG

http://www.tcaas.btinternet.co.uk/hiraga2fig2.gif

mais faudrait l'adapter à la structure symetrique
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Message » 05 Mar 2007 2:04

Pour les driver, les MJE15030 / 31 étaient prévu par Francis, donc à tester face aux Hitachi

Mais quand à prendre des MJE15XXX utant prendre les dernier non ?

http://www.onsemi.com/pub/Collateral/MJE15034-D.PDF
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Message » 05 Mar 2007 2:37

si non y a des darlington

http://www.onsemi.com/pub/Collateral/MJF6388-D.PDF

hfe monstrueux
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Message » 05 Mar 2007 3:09

les mj non pas comme driver ! comme transi de sortie boitier to220 c'est le top
comme driver faut prendre du 2sc5171 un truc comme ca ,


donc j'ai repris un des sous ensemble de ta config
il serait bon de savoir ses caractéristiques , le gain en tension et si on peut la disto
sans appliquer de cr si tu est équipé en instru bien sur

dans le schema j'ai entouré par un cercle noir un transistor qui est branché de la meme maniere
d'une resistance dans un aop , tu pourait nous en dire plus ,
je pense que sait pour compenser les derives en temperature , comme miroir de courant ?

pourquoi tu n'opte pas pour avec un generateur pour polariser tes differentiels d'entrée
et avec un miroir de courant classic , comme le schema que j'ai joint au lieu du 2eme cascode
du type kaneda tu utilise ta strurture de transistor compound



q21 et q23 dans ton schema son monté en dephaseur ,
vue que le collecteur et l'emetteur on la meme valeur de charche de 100 ohm

ya t'il pas une difference d'impedence entre l"emetteur de q21 et le collecteur de q23
pour des mos-fet ca doit pas jouer mais pour du bipo a la place des mos jai des doutes
a cause des cette difference non negligeable d'impedence entre collecteur et emetteur

faut voir donc

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Message » 05 Mar 2007 3:26

pour ta configuration celle que tu avec le transistor en inverseur pour le mos ca devrais passer
sinon un compoud avec gain en courant et en tension , contre-reactionné localement pour
avoir un gain unitaire , est tres efficace et lineaire

la meme configuration que dans le schema simple quasi complementaire,

en faite ce qui m'interesse c'est pour ca que je travail sur un push s'est de trouver un montage
de type darlington qui puisse avoir une tres bonne linéaritée sans passer par du compound

les transistor darlington du type bdw.. etc ...c'est la cata niveau de disto intolerable

en utilisant des mos en quasi a par comme dans ton shema tu a pas d'autre solution que la triplet
avec du bipo un darlington et un faux darlington pour le transistor pnp est une configuration
universel , dans les ampli sono etc..
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