dub a écrit:MOS-FETs de sortie plus puissants
MOs fet UHC - Ultra High Curent de 30 A sur le S10 — et 150 sur le S1!
Pas tout à fait : tu compares l'ampérage maximal en (basse) tension continue dont est capable l'un des MOS-FET du S10 à l'ampérage crête maximal dont est capable l'un des MOS-FET du S1 en régime impulsionnel (en basse tension toujours).
Pour être précis, les MOS-FET de sortie du POA-S1 sont les suivant : 2SK1297 (60 V, 40 A continu, 160 A crête, 100 W) et 2SJ217 (-60 V, -45 A continu, -180 A crête, 150 W).
Et ceux du POA-S10 sont les : 2SK1303 (100 V, 30 A continu, 120 A crête, 100W) et 2SJ216 (-60 V, -35 A continu, -140 A crête, 50W).
Les ampérages donnés sont évidemment dépendant de la tension drain-source à laquelle sont soumis les MOS-FET (les transistors bipolaires ont la même limitation). Le produit tension*courant ne doit pas dépasser la puissance maximale spécifiée pour chaque transistor (sous peine de sortir de l'aire de fonctionnement sûre du transistor et de risquer sa destruction). C'est principalement pour cette raison que les MOS-FET des amplis série S sont montés en cascode : ce sont les transistors bipolaires qui supportent la plus grande partie de l'excursion en tension sur l'étage de sortie et qui maintiennent la tension drain-source des MOS-FET à une valeur constante très faible.