Amplis_dérivés d'ACT

» 12 Jan 2016 19:31

Bonjour Razzortec,
Oups tu as raison. Mille pardons pour l'erreur. je corrige le texte.
Merci

» 12 Jan 2016 19:46

J-C.B a écrit:Mille pardons ...

Comment détermines tu cette quantité ? Simulation ? ou as tu fait un proto ?

» 12 Jan 2016 20:50

Bonjour Le_flo_comtois,

Comment détermines tu cette quantité ? Simulation ? ou as tu fait un proto ?

Pour la zippy, elle a été calculée suivant un mode qu'il me faut retrouver. Si mes souvenirs sont bons, elle coincidait avec une note d'application sur les IRF. En ce qui concerne L'ACT c'est par simulation et habitude. Il s'avère que le proto n'a pas démenti la valeur. (Aucune du reste, issue de la simulation).

» 12 Jan 2016 20:57

Tu es toujours trop sérieux, Jean-Claude !
Je te parlais juste du nombre de pardons ...

Néanmoins ta réponse est intéressante : il faudra bien, un de ces 4, que je me penche sur les équations du tuto de la Zippy ...
Mais ce n'est pas la peine de fouiller dans tes cartons pour moi !

Toujours un plaisir d'échanger avec toi, ceci dit.

Flo

» 12 Jan 2016 21:02

J-C.B a écrit:Bonjour Le_flo_comtois,

Comment détermines tu cette quantité ? Simulation ? ou as tu fait un proto ?
Pour la zippy, elle a été calculée suivant un mode qu'il me faut retrouver. Si mes souvenirs sont bons, elle coincidait avec une note d'application sur les IRF. En ce qui concerne L'ACT c'est par simulation et habitude. Il s'avère que le proto n'a pas démenti la valeur. (Aucune du reste, issue de la simulation).

C'est vrai que la note de National Semiconducteur préconise 120 ohms, sur les 240/9240, ça aurait été balot de faire pareil!

» 12 Jan 2016 21:24

C'est vrai que la note de National Semiconducteur préconise 120 ohms, sur les 240/9240, ça aurait été balot de faire pareil!

Ben ouais, j'ai une tendance à tout vouloir comprendre et surtout je supporte mal la copie intégrale.

Mais je ne parlais pas de la note d'appli des LME, mais uniquement des IRF et de leur attaque. Je n'ai aucun souvenir de la ou j'ai pu le caser, mais c'était très intéressant.

» 12 Jan 2016 21:34

Le Flo comtois,

:ko: Tu es toujours trop sérieux, Jean-Claude !
Je te parlais juste du nombre de pardons ...

J'étais loin de m'imaginer que ta curiosité permanente était orientée dans ce sens. De ce point de vue mille excuses correspondent à un oubli quasi impardonnable. Mille bises aux gens que j'aime.

ce n'est pas la peine de fouiller dans tes cartons pour moi !

Tu le trouveras en page 4 de "Enceintes" :wink:

Toujours un plaisir d'échanger avec toi, ceci dit.

C'est grandement partagé ....

Au fait: Le tableau de Mendeleiev est désormais complet.

JCB

» 13 Jan 2016 0:28

AN-944 ??

» 13 Jan 2016 10:13

AN-944 ??

C'est pas cette note
Merci :wink:

» 13 Jan 2016 12:25

J-C.B a écrit:Bonjour Razzortec,
Oups tu as raison. Mille pardons pour l'erreur. je corrige le texte.
Merci

Merci Jean-Claude
Ce qui m'a toujours étonné c'est la valeur très basse de cette résistance, par rapport aux autres schémas.
Maintenant c'est pas la peine de chercher la documentation qui t'as permis de calculer cette valeur. :wink:

» 13 Jan 2016 13:43

Je ne retrouve plus le topic, mais Catsiano avait expliqué sur ce forum qu'il préférait utiliser des RGATE de valeur plus faible pour limiter le déphasage.

Il me semble qu'il disait qu'il fallait aussi rajouter un buffer (courant de repos plus fort) entre VAS et mosfet pour pouvoir baisser cette résistance.

C'est ce qui a été fait sur le FIRST ONE, qui utilise des RG vraiment tres faible

(edit ) R22 : 10ohm du coté du mosfet N et il me semble que c'est 15ohm du coté du mosfet P
https://hifiduino.files.wordpress.com/2 ... c04821.jpg

» 13 Jan 2016 14:18

Je suis tout de même étonné de voir une RG inférieur sur le N par rapport au P, habituellement c'est le contraire.

» 13 Jan 2016 14:41

Mouais,
C'est juste oublier que l'inductance naturelle d'entrée , et celle du câblage existent. Calculer une résistance tend de ce point de vue à amortir le circuit RLC constitué. Un amortissement trop fort revient à créer un passe bas du premier ordre qui limitera les performances de l'étage. C'est je pense ce point de vue que défend Catsiano.

» 13 Jan 2016 14:42

Je suis tout de même étonné de voir une RG inférieur sur le N par rapport au P, habituellement c'est le contraire.

Sur quel schéma ?

» 13 Jan 2016 17:40

Sur la photo on voit 10ohm à droite coté alim positive donc mosfet N et 15ohm à gauche, alim negative donc mosfet P
https://hifiduino.files.wordpress.com/2 ... c04821.jpg
https://hifiduino.wordpress.com/2014/10 ... er-module/

Sur ce schéma par ex on voit les RG supérieur sur les mosfet N par rapport aux P
http://jm.plantefeve.pagesperso-orange.fr/balaise.gif

Ici aussi :
http://www.heberger-image.fr/data/image ... CH_1.4.jpg