Bonjour à tous,
J'ai entendu parlé hier d'une techno assez récente: le GAN.
Ce sont des composants au Gallium Nitride.
Par rapport aux matériaux actuels, ce matériau permettrait des passage en courant bien supérieur, des capas parasites bien plus faibles, donc une bande de fréquence utilisables bien plus étendue.
Des transistor typiques audio classe D sont apparus et surclasseraient largement les meilleurs mosfets.
ORCHARD est l'une des premières à proposer des amplis complets ou modules DIY à des prix encore raisonnables.
voici le lien pour le module DIY, le prix est pour deux modules.
C'est du même ordre de prix qu'n module Purifi
https://orchardaudio.com/starkrimson-mo ... e013ca47ae
J'ai trouvé une autre boite qui fabriquait aussi des amplis avec cette techno, mais je crois qu'il se moque un peu car le prix varie entre 15 000 et 25 000 $.
Quelqu'un connait il cette techno et ces amplis ?
Bon dimanche à tous et bons préparatifs.
Alain
|
9 messages • Page 1 sur 1
|
Modérateurs: Staff DIY, Staff Installations, Staff Juridique • Utilisateurs parcourant ce forum: jcg74, nikoaveyron12, patroussea et 4 invités
Ampli classe D ORCHARD à transistors GAN
- Alain07
- Membre HCFR
- Messages: 160
- Inscription Forum: 11 Fév 2019 22:21
- Localisation: Valence (Drome)
Alain07 a écrit:Bonjour à tous,
J'ai entendu parlé hier d'une techno assez récente: le GAN.
Ce sont des composants au Gallium Nitride.
Par rapport aux matériaux actuels, ce matériau permettrait des passage en courant bien supérieur, des capas parasites bien plus faibles, donc une bande de fréquence utilisables bien plus étendue.
Des transistor typiques audio classe D sont apparus et surclasseraient largement les meilleurs mosfets.
.....
Ce n'est pas très nouveau (6 ans de mémoire)
C'est une techno concurrente au SiC (carbure de silicium).
Il s'agit du matériau de base destiné à remplacer le silicium. Mais on peut réaliser (plus ou moins facilement) toutes les architectures (bipolaire, mosfet, Jfet, dans tous les matériaux.
La difficulté liée à ces composants est dans la mise en oeuvre à cause des commutations très brutales (plus de 10 fois plus rapides que le silicium) et la difficulté de réaliser des diodes de roue libre à mettre "en face"
A+
Edit: en français, ça s'appelle nitrure de gallium
La configuration dans mon profil
Robert
...la raison est une frêle chandelle... pour nous éclairer dans le monde actuel où les charlatans sont légion qui nous susurrent sans cesse à l'oreille: "Souffle cette chandelle, tu y verras bien mieux"
(H. Broch)
-
Robert64 - Membre HCFR Contributeur
- Messages: 4837
- Inscription Forum: 12 Sep 2006 15:40
- Localisation: Sud Ouest
+1, le Sic est haut en tension en tension (1700v) et le Gan plutot adapté aux alim et applis RF.
- Brad Pitt
- Messages: 392
- Inscription Forum: 16 Nov 2019 19:00
- Localisation: Sud RP
Attention toutefois aux conclusion hâtives et/ou aux idées préconçues.
Souvent, le tout est une question de mise en œuvre et apparemment Orchard a su faire un travail correct dans ce domaine cf. la comparaison entre celui d'Orchard et celui de Purify (lien).
Souvent, le tout est une question de mise en œuvre et apparemment Orchard a su faire un travail correct dans ce domaine cf. la comparaison entre celui d'Orchard et celui de Purify (lien).
- Eric.D
- Messages: 1797
- Inscription Forum: 05 Juil 2006 12:45
- Localisation: dans le 06
Eric.D a écrit:Attention toutefois aux conclusion hâtives et/ou aux idées préconçues.
Souvent, le tout est une question de mise en œuvre et apparemment Orchard a su faire un travail correct dans ce domaine cf. la comparaison entre celui d'Orchard et celui de Purify (lien).
C'est exactement ce qu'on a dit

- Brad Pitt
- Messages: 392
- Inscription Forum: 16 Nov 2019 19:00
- Localisation: Sud RP
Eric.D a écrit:Attention toutefois aux conclusion hâtives et/ou aux idées préconçues.
Souvent, le tout est une question de mise en œuvre et apparemment Orchard a su faire un travail correct dans ce domaine cf. la comparaison entre celui d'Orchard et celui de Purify (lien).
Aucune idée préconçue, d'autant plus que j'ai déjà réalisé des montages avec ces composants.
La principale difficulté est au niveau du câblage et de la géométrie à cause de la rapidité de commutation + les problèmes Cem qui vont avec.
A+
Dernière édition par Robert64 le 21 Déc 2020 20:31, édité 1 fois.
La configuration dans mon profil
Robert
...la raison est une frêle chandelle... pour nous éclairer dans le monde actuel où les charlatans sont légion qui nous susurrent sans cesse à l'oreille: "Souffle cette chandelle, tu y verras bien mieux"
(H. Broch)
-
Robert64 - Membre HCFR Contributeur
- Messages: 4837
- Inscription Forum: 12 Sep 2006 15:40
- Localisation: Sud Ouest
Brad Pitt a écrit:+1, le Sic est haut en tension en tension (1700v) et le Gan plutot adapté aux alim et applis RF.
Exact!
J'ai surtout pratiqué le Sic sous forme de mosfets pour des onduleurs de puissance. (dV/dt = 35 KV/µs !)
A+
La configuration dans mon profil
Robert
...la raison est une frêle chandelle... pour nous éclairer dans le monde actuel où les charlatans sont légion qui nous susurrent sans cesse à l'oreille: "Souffle cette chandelle, tu y verras bien mieux"
(H. Broch)
-
Robert64 - Membre HCFR Contributeur
- Messages: 4837
- Inscription Forum: 12 Sep 2006 15:40
- Localisation: Sud Ouest

Je suis d'accord sur les problèmes techniques à prendre en compte pour utiliser ce type ce composant à commutations hyper rapide.
- Eric.D
- Messages: 1797
- Inscription Forum: 05 Juil 2006 12:45
- Localisation: dans le 06
Robert64 a écrit:Brad Pitt a écrit:+1, le Sic est haut en tension en tension (1700v) et le Gan plutot adapté aux alim et applis RF.
Exact!
J'ai surtout pratiqué le Sic sous forme de mosfets pour des onduleurs de puissance. (dV/dt = 35 KV/µs !)
A+
Au boulot, ils se cassent les dents pour tenir des qualifs CEM et dégradent les temps de montée (donc pertes ...).
- Brad Pitt
- Messages: 392
- Inscription Forum: 16 Nov 2019 19:00
- Localisation: Sud RP
|
9 messages
• Page 1 sur 1
Retourner vers Amplis et Préamplis
|