Ampli classe D ORCHARD à transistors GAN

» 20 Déc 2020 10:20

Bonjour à tous,

J'ai entendu parlé hier d'une techno assez récente: le GAN.
Ce sont des composants au Gallium Nitride.
Par rapport aux matériaux actuels, ce matériau permettrait des passage en courant bien supérieur, des capas parasites bien plus faibles, donc une bande de fréquence utilisables bien plus étendue.

Des transistor typiques audio classe D sont apparus et surclasseraient largement les meilleurs mosfets.

ORCHARD est l'une des premières à proposer des amplis complets ou modules DIY à des prix encore raisonnables.
voici le lien pour le module DIY, le prix est pour deux modules.
C'est du même ordre de prix qu'n module Purifi

https://orchardaudio.com/starkrimson-mo ... e013ca47ae

J'ai trouvé une autre boite qui fabriquait aussi des amplis avec cette techno, mais je crois qu'il se moque un peu car le prix varie entre 15 000 et 25 000 $.

Quelqu'un connait il cette techno et ces amplis ?

Bon dimanche à tous et bons préparatifs.
Alain

par **Google** » 20 Déc 2020 10:20

» 20 Déc 2020 12:50

Alain07 a écrit:Bonjour à tous,

J'ai entendu parlé hier d'une techno assez récente: le GAN.
Ce sont des composants au Gallium Nitride.
Par rapport aux matériaux actuels, ce matériau permettrait des passage en courant bien supérieur, des capas parasites bien plus faibles, donc une bande de fréquence utilisables bien plus étendue.

Des transistor typiques audio classe D sont apparus et surclasseraient largement les meilleurs mosfets.
.....

Ce n'est pas très nouveau (6 ans de mémoire)
C'est une techno concurrente au SiC (carbure de silicium).
Il s'agit du matériau de base destiné à remplacer le silicium. Mais on peut réaliser (plus ou moins facilement) toutes les architectures (bipolaire, mosfet, Jfet, dans tous les matériaux.
La difficulté liée à ces composants est dans la mise en oeuvre à cause des commutations très brutales (plus de 10 fois plus rapides que le silicium) et la difficulté de réaliser des diodes de roue libre à mettre "en face"
A+
Edit: en français, ça s'appelle nitrure de gallium

» 21 Déc 2020 9:04

+1, le Sic est haut en tension en tension (1700v) et le Gan plutot adapté aux alim et applis RF.

» 21 Déc 2020 10:21

Attention toutefois aux conclusion hâtives et/ou aux idées préconçues.
Souvent, le tout est une question de mise en œuvre et apparemment Orchard a su faire un travail correct dans ce domaine cf. la comparaison entre celui d'Orchard et celui de Purify (lien).

» 21 Déc 2020 12:27

Eric.D a écrit:Attention toutefois aux conclusion hâtives et/ou aux idées préconçues.
Souvent, le tout est une question de mise en œuvre et apparemment Orchard a su faire un travail correct dans ce domaine cf. la comparaison entre celui d'Orchard et celui de Purify (lien).

C'est exactement ce qu'on a dit :mdr:

» 21 Déc 2020 20:29

Eric.D a écrit:Attention toutefois aux conclusion hâtives et/ou aux idées préconçues.
Souvent, le tout est une question de mise en œuvre et apparemment Orchard a su faire un travail correct dans ce domaine cf. la comparaison entre celui d'Orchard et celui de Purify (lien).

Aucune idée préconçue, d'autant plus que j'ai déjà réalisé des montages avec ces composants.
La principale difficulté est au niveau du câblage et de la géométrie à cause de la rapidité de commutation + les problèmes Cem qui vont avec.
A+

» 21 Déc 2020 20:31

Brad Pitt a écrit:+1, le Sic est haut en tension en tension (1700v) et le Gan plutot adapté aux alim et applis RF.

Exact!
J'ai surtout pratiqué le Sic sous forme de mosfets pour des onduleurs de puissance. (dV/dt = 35 KV/µs !)
A+

» 22 Déc 2020 0:35

Désolé d'avoir mal interprété vos propos.
Je suis d'accord sur les problèmes techniques à prendre en compte pour utiliser ce type ce composant à commutations hyper rapide.

» 22 Déc 2020 16:10

Robert64 a écrit:
Brad Pitt a écrit:+1, le Sic est haut en tension en tension (1700v) et le Gan plutot adapté aux alim et applis RF.

Exact!
J'ai surtout pratiqué le Sic sous forme de mosfets pour des onduleurs de puissance. (dV/dt = 35 KV/µs !)
A+

Au boulot, ils se cassent les dents pour tenir des qualifs CEM et dégradent les temps de montée (donc pertes ...).

» 18 Mar 2021 16:05

En class A pour les ampli HF, il faut une mise en polarisation par étape, sinon le composant ne vit pas longtemps.
La structure HEMT des GAN est une véritable usine à gaz, c'est bien plus complexe que les composants classique.
J'ai hâte que les industriels se penchent un jour sur les travaux de claude Poher, l'amplification par jonction josephson c'est le futur, et le futur c'est maintenant, cette physique va nous ouvrir des portes, tant pis si les models ne suivent pas, l'expérience a déjà prouvé pas mal de phénomènes autre fois inexpliqué, c'est juste une question de temps et d'ouverture d'esprit.