Problème d'appairage 2SJ74BL/2SK170BL [Fini en Amperotron]

» 15 Fév 2014 9:51

Intéressant cette simu!On s'aperçoit que le niveau de H2 est élevé (ce dont on se doutait et qui est confirmé)!Peux-tu refaire la simu avec les valeurs d'origine du schéma?

» 15 Fév 2014 13:14

Pour le lien eBay j'avais déjà vu mais il n'est pas précisé s'ils sont appairés ce qui, en principe, signifie qu'ils sont seulement dans la plage BL.

Tant pis je vais faire avec les moyens du bord, dites moi seulement ce à quoi je dois pas toucher.
En ce sens j'ai cru comprendre que je pouvais adapter la résistance de drain (celle qui polarise les Mosfets) que je définirais autour de 600 Ohm pour un courant de repos des jfets autour de 4.0mA mais par contre Thierry semble dire qu'elles doivent être de valeur identiques pour les 2 polarités. Vous confirmez?

Je vais vous dire comment je compte faire mes cartes d'ampli et si vous me confirmez que c'est valable je devrais terminer ce week-end :
- Marier des paires de jfet les "moins éloignées" en Idss
- Définir le courant de repos de ces jfets (le même pour tous) permettant à chacun d'être dans la plage linéaire avec un Vgs minimum de 0.4V (à cause du niveau ligne standard de +/- 0.3V).
- Calculer la résistance de polarisation des mosfet en fonction de ce courant.
- et roule ma poule!

J'ai bon ? (ou disons pas trop mal?)

» 15 Fév 2014 15:25

Hello,

pour la simu,il faut que je trouve(ou modifie) les grades des jfets pour mettre les valeurs initiales.

quelle était la résistance de test pour les jfet ?
une polar à 4mA est trop élevée,le swing en courant vient "taper" le coude de saturation.
de plus la transconductance se trouve "fixée" dans la zone haute.

je pensais aussi à la dissipation:
cela va être chaud !

2x21V x 1.3A=55W pour une paire complémentaire.
110W en stéréo,gros dissipateur+endroit aéré+T° ambiante <25°.
les mosfet vont souffrir.

le mieux est de faire un PCB avec la contre réaction du zenotron,et ne pas la câbler.
mettre un strap en place de la 180 Ohms,et retrait de la 5.6K.

» 15 Fév 2014 15:49

quelle était la résistance de test pour les jfet ?

J'ai mesuré l'Idss, donc sans résistances, les jfets que je vais utiliser vont de 6.5 à 9mA en Idss. Je vais donc devoir mettre ensemble des paires de valeurs assez différentes.

le swing en courant vient "taper" le coude de saturation.
de plus la transconductance se trouve "fixée" dans la zone haute.

J'ai rien compris... Peux-tu m'expliquer?

Quels sont ces lignes rouge et verte que tu as tracé sur le graphique?

Pour la dissipation c'est bon, chaque mosfet à son propre radiateur de 200*120 mm (environ 0.6 K/W) et est fixé en plein milieu.
Ce qui fait 21*1.3*0.6 = 16.38K d'élévation de température par radiateur, royale !

le mieux est de faire un PCB avec la contre réaction du zenotron,et ne pas la câbler.
mettre un strap en place de la 180 Ohms,et retrait de la 5.6K.

Vu l'éloignement des mosfets complémentaires je vais faire du fil à fil plutôt qu'un PCB. je pourrais donc rajouter la contre réaction plus tard sans problème.

» 15 Fév 2014 16:55

Hello,

il faut partir de:
Vgs= -Rs x Id (équation de droite descendante passant par 0)
de la,passer sur les courbes Id/Vds avec les courbes Vgs

pour les points de fonctionnement,
un lien pour les triodes (même principe).
calcul point de fonctionnement

je détaillerai si je trouve un peu de temps.

» 15 Fév 2014 17:18

Merci pour ta réponse, je vais déjà commencer à étudier ça.

» 15 Fév 2014 19:02

T'es sur de ton coup Thierry ?
J'ai beaucoup de mal à transposer la méthode triodes au datasheet du 2sk246.
Et quand je vois que tu fais passer tes droites rouges et vertes par le point 0 du graphique je comprend plus rien. Ca voudrait dire que quand vgs=0 alors Id=0. C'est bon pour les mosfets mais pas pour les jfets.

Je pensait qu'il suffisait de regarder le graph "ID-Vgs" du datasheet et en prenant l'exemple d'un jfet dont l'Idss est de 4.0mA il suffisait de lire le graphique pour déterminer qu'un Vgs de -0.5V est parfaitement au milieu de la plage de fonctionnement linéaire.
Puis de lire cette courbe pour voir comment réagit le courant de drain quand on applique un signale de +/-0.3V : de 3.5 à 1.75 mA.

» 15 Fév 2014 20:09

Un jfet est comparable à une pentode,et non pas à une triode!

» 15 Fév 2014 20:22

Pour attaquer la réalisation j'ai juste besoin de savoir comment déterminer le courant de repos de mes jfet.

Simplement en lisant le graphique "ID - VGS" comme je l'expliquait dans mon précédent poste?

Merci à vous.

» 15 Fév 2014 20:38

un jfet est un "robinet ouvert" en l'absence de tout champ électrique.(grille-source).

une tension nulle Vgs permet un flot de porteurs de "traverser" sans aucune contrainte le drain-source..

m'enfin bon si vous avez des réponses,au plaisir de lire vos partages.

(la transconductance est l'âme même des fet(mos ),le courant grille est nulle).
Y=admitance (I/V)
Z=impédance(V/I)

» 15 Fév 2014 23:27

Cet article est assez explicite,je pense!

» 16 Fév 2014 1:59

Si j'ai bien compris le document de Grand Floyd, imaginons que j'ai un jfet dont l'Idss est de 5.6mA comme la courbe la plus haute du datasheet (graph "ID - Vgs"):

Pour être au milieu de la plage linéaire je choisi un Vgsrepos de -0.5V.
Je lis sur la courbe que le courant de repos sera de 4 mA
De là j'en déduit la résistance de source par le calcul Vgsrepos = 0 - Rs * Idrepos. Donc Rs = - Vgsrepos/Idrepos = 0.5/0.004 = 125 Ohm.
Je déduit aussi Rd sachant que j'ai besoin de 2.5V à ses bornes pour 1.3A de repos au Mosfet : Rd = 2.5/0.004 = 625 Ohm.
Du coup j'ai tout ce qu'il me faut et le reste des explications ne me sert à rien... (c'est louche!)

J'ai l'impression d'être passé à côté de quelque chose...

Si j'ai tord pouvez-vous me donner le point de départ car dans ces formules il y a beaucoup de variables (Id, Vgsrepos, Rs et Rd). En choisissant de fixer tel ou tel variable on en déduit les autres mais il faut bien en fixer une au départ! Mais laquelle ?...
Dans mon exemple j'ai choisi comme point de départ de fixer Vgsrepos car à mon niveau de compréhension il semble être pile au milieu du segment linéaire de la courbe et suffisamment éloigné d'Idss pour un signale de +/-0.3V. Le reste est adapté en fonction de cette "contrainte".

Mais je dois forcément me planter puisque ça fait plusieurs fois que je vous présente cette méthode sans que vous confirmiez.

Je suis perdu :ohmg:

» 16 Fév 2014 11:04

Oui et si tu prends la courbe en dessous,tu aura Vgs =0,5V,Id = 2,5 mA, Rs = 200 ohms et Rd = 1000 ohms.Dans les 2 cas le gain en tension sera de Rd/Rs = 5.Mais imaginons que tu utilises un transistor avec un IDSS de 5,6 mA et un autre à 4mA cet que tu conserves dans les 2 cas ,la résistance de drain Rd = 625 ohms !Tu t'aperçois que si tout va bien pour le premier,le second se retrouve à Id =Idss.Le signal est rudement raboté sur les alternances positives!On a même l'équivalent d'une diode!Inversement,si tu as mis des Rd = 1000 ohms tu constates qu'avec le transistor qui a le Idss de 5.6 ,il faut polariser à - 1V.Ca va encore bien sur la courbe mais la résistance de source va passer à 1000 mV / 2,5 mA = 400 ohms!Le gain dans ce cas sera Rd/Rs = 1000 / 400 = 2,5 seulement.Donc le gain en tension sur le 2SK246 qui aurait le Idss de 5,6 serait de 5 et celui du 2SJ103 avec Idss de 4 serait de 2,5 seulement!Une alternance fait le double de l'autre!Musicalement c'est la cata!En général on s'en sort par la boucle de contre-réaction de tension si décriée mais quelquefois indispensable!Dans cet exemple,il suffirait de mettre une Rd adaptée à chaque transistor mais dans le schéma proposé,on ne touche pas aux résistances Rd et seuls les potars permettent de rattraper approximativement le jeu!Ce qui st acceptable si les 2 Idss ne sont pas trop éloignés,donc appairage etc...
En dehors de ces calculs il faut s'assurer que les tensions mises en jeu soient compatibles avec les caractéristiques des transistors utilisés et qu'on reste dans l'aire de sécurité (puissance dissipée dans le transistor)au repos et lors de la présence d'un signal d'entrée!Il faut aussi que la tension Vds (drain/source) reste comprise entre la tension de pincement et la tension d'avalanche (partie horizontale de la courbe Id = f(Vds)!

» 16 Fév 2014 11:33

Merci pour tes explications, c'est parfaitement claire (oufff de soulagement... :mdr:

)

Par contre je comprend toujours pas ce qui m’empêche de mettre une Rd de 1000 pour l'un et 625 pour l'autre. Ce serait parfait !

» 16 Fév 2014 12:08

Rien ne t'en empêche si tu remplies les conditions de sécurité,et si le signal crête d'entrée n'atteint pas 0V ou Vp.Selon la position du point de repos ,il sera plus proche de l'un ou l'autre!Avec -0,5V de polar l'alternance positive peut s'approcher de 0V et l'alternance négative pourrait aller à -1,25V,et à -1,5V ça commencerait à tordre pas mal!Avec une polar de -1V c'est l'alternance positive a un peu plus de réserve!Si le signal d'entrée n'a pas une amplitude trop importante,ça laisse un peu de latitude pour le choix du point de repos!