module classe D CL3 Gemincore + KTR 5725

[vroum90]

En supposant que le courant parte de zéro, il n'atteindrait que 45 milliAmpère au bout de 15 nanos, et n'aurait jamais la chance d'atteindre I RMS, comme le prouve "ma" formule.

Oui, c'est pas faux

Pour insérer une image, il faut la mettre en dispo sur un site et mettre le lien grace au bouton "Img" lors de l'edition de ton message.

Si tu ne peux pas le faire je peux la mettre sur mon site et je mettrai le lien. Dans ce cas envoi moi un mp et je te donnerai mon Email.

@+

[ccc]

Pour répondre à ccc, V eff signifie strictement la même chose que V RMS.

Une autre réponse pour ccc.

La puissance RMS de sortie est donnée par la relation suivante:

(V - tension de déchet)² / 2 R

Ou R représente l'impédance nominale de la charge ( 3 Ohms dans ton cas ) et V représente la tension d'alimentation.
Dans les modules Gemincore, la tension de déchet vaut sensiblement 6 % de la tension d'alimentation.

Donc, pour une alimentation de 35 V, celà donne à peu près: 33² / 6 = ~ 180 Watts RMS

Merci Sigma

[Sigma]

De rien, lol

Et vous, c'est combien vos ressources libres ?


Pentium lll 933 MHz + protection anti-menaces temps réel !
Cliquez pour agrandir !

[Nicko500]

? C koi le rapport avec ton utilisation processeur

[melavi]

c'est pour faire genre

[Sigma]

Oui c'est vrai, aucun rapport. ++

[Maousse]

Veff = Vrms uniquement pour un signal sinusoïdal pur...

[vroum90]

Et si on en revenait a nos histoires de MOS après ce bref instant de détente

En supposant que le courant parte de zéro, il n'atteindrait que 45 milliAmpère au bout de 15 nanos, et n'aurait jamais la chance d'atteindre I RMS, comme le prouve "ma" formule.

En considérant ta formule: V= L.di/dt, en "visant" un courant de 3.87A il faudrait un dt de :

dt= L.Di/V = 15 (e-6) * 3.87 / 45 = 1.3 us.

Donc c'est pas si aberrant que ça sachant que l'on a une frequence de 500kHz donc une periode de 2us ( le courant peut donc atteindre I RMS sans problème) ?

Le courant ne part de zéro mais de sa valeur I RMS, et il est déjà établi dès le début des 15 nanos, et plus précisemment encore, il s'est établi dans le mosfet avant même que la tension n'ait pu bouger d'un yota, et il reste constant ( à 45 milliAmpères près ) jusqu'à la fin.

Donc en gros la loi d'ohm n'est pas vraie
lors de la fermeture du MOS la résistance drain-source passe d'une valeur très elevée et tend vers Rdson, et si je te lis bien, lorsque le MOS se ferme il passe déja IRMS dedans ( soit 3.87A) alors que la résistance drain - source n'a même pas commencée a chuter ( vu que la tension n'a pu bouger d'un yota).

La ça me convient mais alors pas du tout comme explication

Que le courant soit constant dans la charge , OK. Mais pour les MOS quand il sont fermés, il sont fermés et idem pour l'ouverture.

Un MOS ouvert ne se voit pas traversé pas un courant de 3.87A...

Y'a peut etre d'autres phénomènes a prendre en compte, mais dans ce cas la, j'attends que tu m'éclaire un peu

Pour ma part la puissance dissipée durant la commutation ( on ou off) doit ressembler a un truc que j'ai chopé sur une doc IRF:

P = intégrale ( 0 à t) [ Id(t) x Vds(t) d(t)] avec t entre 0 et 15ns par exemple, Id étant le courant qui traverse le drain ( IRMS dans notre cas) et Vds la tension drain source.

Dire que Id = 3.87, VDS = 45V durant les 15ns de commutation me dérange, y'a quelque chose que je pige pas ...

Pour moi à la commut, VDS part de 45V pour finir vers 0 ( Vds = Id x Rdson, avec Rdson petit) et Id part de 0 pour finir à 3.87A. Dire que Id est deja à 3.87 avant les 15ns revient à dire que le temps de commut est "nul"...

Bon, et sinon, tu bosses chez CL3 ou bien ??

[Sigma]

Veff = Vrms uniquement pour un signal sinusoïdal pur...

Désolé Maousse, mais V_eff = V_rms dans tous les cas, puisque "RMS" signifie en anglais: "Root Mean Square", ce qui signifie: racine de la somme des carrés, et est la traduction directe du mot français "efficace" ( eff).



++

[Maousse]

Désolé Maousse, mais V_eff = V_rms dans tous les cas, puisque "RMS" signifie en anglais: "Root Mean Square", ce qui signifie: racine de la somme des carrés, et est la traduction directe du mot français "efficace" ( eff).



++

Google : http://www.actutem.com/pages/eff_vrai.html

La valeur efficace d’une tension alternative représente son « potentiel de puissance moyenne » . Comme la puissance évolue avec le carré de la tension, l'appareil de mesure doit notamment effectuer cette opération mathématique. Les multimètres modernes mesurent aisément la valeur efficace vraie (TRMS - true rms) grâce aux fonctions de calcul intégrés alors que les multimètres analogiques (quasiment disparu de nos laboratoires) « trichent » en forment la valeur moyenne de la tension détectée par intégration puis le « multiplient » par 1,11 (décalage de l'échelle). Cette « astuce » passe inaperçu pour un signal sinus mais, lorsque le signal à mesure se présente sous une autre forme, l’erreur de mesure peu devenir très important. Par exemple un signal carré symmétrique est alors mesuré avec une erreur de 11 % (la valeur moyenne détectée de ce signal est égale à sa valeur efficace).

Je crois que ça explique bien...

[Sigma]

Salut vroum, et les autres aussi.

La période vaut bien 2 micro-secondes, ce qui nous donne 2 "plateaux" de 1 micro-seconde quand le rapport cyclique est de 50 %, n'est ce pas ?
Or, 50 % correspond au cas ou l'entrée du modulateur PWM est à zéro, ce qui implique un courant nul dans la charge, et par conséquent un courant nul dans les mosfets.

On admet alors que la valeur I RMS ne peut être atteinte que pour des valeurs de rapport cyclique élevées, où un des 2 plateaux vaudrait 150 nano-secondes, par exemple.

Poufff ! Tes 2 micro-secondes, envolées !

Car si on suppose que I RMS serait atteint au bout de 1,85 micro-seconde, il faut admettre qu'il puisse décroitre de I RMS à zéro en 150 nanos dans le mosfet "donnant le relai".
De plus, sans même faire le calcul, 1 micro-seconde, c'est encore trop court !



En ce qui concerne le courant dans les mosfets, le problème est pris à l'envers, je crois.

Dans le mosfet qui "prend le relai", c'et la RDSon qui s'établi d'abord (suite au signal de gate ) permettant ainsi au courant de circuler, et ce n'est que bien après que la tension commence à se "décoller" du rail d'alimentation, il faut juste respecter l'ordre d'enchaînement des causes et des conséquences.

En deux mots, avec l'oscilloscope connecté à la sortie de l'étage de puissance ( avant le filtre ) il est impossible de matérialiser le transfert de charges ayant lieu d'un mosfet à l'autre.



Heu ... moi, travailler chez CL3 ? Tu me fais trop d'honneurs !

[Sigma]

++[/quote]
Google : http://www.actutem.com/pages/eff_vrai.html

La valeur efficace d’une tension alternative représente son « potentiel de puissance moyenne » . Comme la puissance évolue avec le carré de la tension, l'appareil de mesure doit notamment effectuer cette opération mathématique. Les multimètres modernes mesurent aisément la valeur efficace vraie (TRMS - true rms) grâce aux fonctions de calcul intégrés alors que les multimètres analogiques (quasiment disparu de nos laboratoires) « trichent » en forment la valeur moyenne de la tension détectée par intégration puis le « multiplient » par 1,11 (décalage de l'échelle). Cette « astuce » passe inaperçu pour un signal sinus mais, lorsque le signal à mesure se présente sous une autre forme, l’erreur de mesure peu devenir très important. Par exemple un signal carré symmétrique est alors mesuré avec une erreur de 11 % (la valeur moyenne détectée de ce signal est égale à sa valeur efficace).

Je crois que ça explique bien... [/quote]


Cet article fait état de l'érreur générée par les instruments de mesure lorsque ceux-ci déterminent la valeur RMS ( efficace ) d'un signal sinusoïdal n'étant pas pur, et n'apporte en aucun cas une réponse à la question d'origine.

Il stipule que les appareils de mesure effectuent un moyenne du signal mesuré et multiplient ensuite le résultat par 1.1 ( facteur de forme ), au lieu de calculer la vraie "racine de la somme des carrés".

Cette méthode s'avère parfaitement correcte quand le signal mesuré est purement sinusoïdal, car la valeur efficace divisée par la valeur moyenne d'un signal sinusoïdal est égale à:

Pi / 2 (racine de 2), soit 1,11.

Mais, celà se traduit par une erreur si le signal mesuré n'est pas purement sinusoïdal.

Il faut savoir que presque tous ces multimètres que l'on peut voir dans les labos des développeurs ou dans les camionnettes de maintenane des électriciens, utilisent cette méthode peu coûteuse du "facteur de forme".

Mais j'avoue, l'article manque de clarté.

++

[Sigma]

Et si on en revenait a nos histoires de MOS après ce bref instant de détente

Pour ma part la puissance dissipée durant la commutation ( on ou off) doit ressembler a un truc que j'ai chopé sur une doc IRF:

P = intégrale ( 0 à t) [ Id(t) x Vds(t) d(t)] avec t entre 0 et 15ns par exemple, Id étant le courant qui traverse le drain ( IRMS dans notre cas) et Vds la tension drain source.

L' expression utilisée précédemment pour calculer les pertes par commutation PROVIENT de la résolution de l'intégrale: ( 0 à t) [ Id(t) x Vds(t) d(t)], incluant les autres grandeurs, bien sûr.

Par exemple, la relation que tout le monde connait: V eff = V pic / racine de 2 est la résolution de intégrale:

V eff = racine de ( 1/T ( intégrale de 0 à pi ) ) |v|² dt

Heu ... si je me rappelle bien des cours ...

[stef1777]

Vous avez pas peur de faire fuire le prospect avec vos calculs ?













Bon je sais, je suis nul en math.

[DTSman]

Non non, ya bon les maths, c'est bon pour ce que j'ai quelques rappels