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Alimentation amplificateur
c'est pour alimenter des aop discrets donc une charge à peu près fixe, un filtrage en crc puis des lm 329 en série filtrés en réference de tension à la base d'un darlington et derrière des condo isolés un peu du darlington par une resistance. Ce montage est vraiment adapté à mes besoins vu le peu de consomation de l'aop discret ( 56 ma). le but est de me passer de contre réaction
- galouche
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galouche a écrit:Un peu hs mais un petit merci en passant à lcd 31 pour sa gentilesse au télephone et l'aide qu'il ma donnée pour mon alim stabilisée.
Je n'ai raté que 2 buts ! ça va !!
(faut dire aussi que Arsenal Chelsea, c'est pas la ligue 1, tu vas pisser un coup et tu rates 2 buts !!! )
- LCD 31
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Petite question:
Si je on place des condensateurs en sortie d'une alimentation à découpage, c'est bon ou c'est mauvais?
En gros je remplace le torique, pont de diode par une alim à découpage et je garde la charge capacitive en sortie (en gros 40000µF)
Si je on place des condensateurs en sortie d'une alimentation à découpage, c'est bon ou c'est mauvais?
En gros je remplace le torique, pont de diode par une alim à découpage et je garde la charge capacitive en sortie (en gros 40000µF)
- undertaker88
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Pour en revenir à cette histoire de filtre actif.
Je trouve l'idée intéressante car on obtient de très bons résultats avec des capas de taille raisonnables. En plus cela permet de séparer la capa de filtrage de celle servant de réservoir.
D'autre part on a pas l'inconvenient de la remontée d'impédance d'un filtre passif de type PI.
Avec un MOSFET dont le rds est très petit (chez FAIRSHILD il y en a un bon) la puissance dissipée permet de se passer d'un gros rad.
J'ai fait la simultation avec des capas de type SIKOREL
En filtrage normal :
Filtre actif :
Inconvénient on perd du voltage donc il faut prendre un transfo avec une tension de sortie supérieure.
Je trouve l'idée intéressante car on obtient de très bons résultats avec des capas de taille raisonnables. En plus cela permet de séparer la capa de filtrage de celle servant de réservoir.
D'autre part on a pas l'inconvenient de la remontée d'impédance d'un filtre passif de type PI.
Avec un MOSFET dont le rds est très petit (chez FAIRSHILD il y en a un bon) la puissance dissipée permet de se passer d'un gros rad.
J'ai fait la simultation avec des capas de type SIKOREL
En filtrage normal :
Filtre actif :
Inconvénient on perd du voltage donc il faut prendre un transfo avec une tension de sortie supérieure.
- jalhoucine
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une question qd même : on s'emmerde tous à diminuer au maximum cette ondulation résiduelle.
Théoriquement je comprends le bien fondé de la chose mais pratiquement cette ondulation se répercute comment côté son?
CA qd je vois que Brinkman se contente d'un filtrage plus que basique avec dex SIKOREL de 10000uF et que leur ampli font partie des meilleurs, je me demande si on ne se prend pas trop la tête à vouloir une courbe plate qui n'auras aucune incidence sur le son par rapport à une courbe avec 15% d'ondulation.
Théoriquement je comprends le bien fondé de la chose mais pratiquement cette ondulation se répercute comment côté son?
CA qd je vois que Brinkman se contente d'un filtrage plus que basique avec dex SIKOREL de 10000uF et que leur ampli font partie des meilleurs, je me demande si on ne se prend pas trop la tête à vouloir une courbe plate qui n'auras aucune incidence sur le son par rapport à une courbe avec 15% d'ondulation.
- jalhoucine
- Messages: 3406
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- Localisation: Paris
En rouge :
JAL Houcine a écrit:Pour en revenir à cette histoire de filtre actif.
Je trouve l'idée intéressante car on obtient de très bons résultats avec des capas de taille raisonnables. En plus cela permet de séparer la capa de filtrage de celle servant de réservoir.
D'autre part on a pas l'inconvenient de la remontée d'impédance d'un filtre passif de type PI.
Avec un MOSFET dont le rds est très petit (chez FAIRSHILD il y en a un bon) la puissance dissipée permet de se passer d'un gros rad.
Faux ! car le Rdson est la résistance du MOS à l'état saturé !
Dans notre cas, si le MOS était saturé on pourrait le remplacer par un bout de fil, alors, ça ne chaufferait pas mais ça ne marcherait pas !!! car tu aurais la même tension (et ondulation) avant et après le MOS.
Tu peux calculer les Watt à dissiper par le MOS en faisant la différence de la tension efficace après et avant le MOS (dans ta simulation un peu plus de 5V) et en multipliant par le courant.
Si tu veux que ton ballast soit efficace, il doit chauffer un minimum car c'est la variation de son Vds (ou le Vce si bipolaire) qui compense l'ondulation résiduelle. Si ton transistor est saturé Rdson = 0 alors Vds = 0V (ou Vce = 0) et le système ne peut rien compenser.
Nous devons être dans la zone linéaire du transistor, certes près du bord, mais le transistor ne peut pas être complètement saturé (et de toute façon, comme je l’expliquais au dessus un transistor canal N ne peut pas être saturé dans cette configuration car il faudrait une tension de grille supérieure à l’alim …)
Bref ! multiplie la puissance dissipé calculée par la résistance thermique totale (Rth radiateur + MOS ...) et tu obtiendra l’élévation de température entre l’air ambiant et la puce du MOS.
Il faut que, dans le pire cas, celle-ci soit tjrs assez inférieure au max (souvent 150 °C).
Choisi ton radiateur en fonction en additionnant tous les Rth et vérifiant ta marge thermique avec la puissance max
J'ai fait la simultation avec des capas de type SIKOREL
En filtrage normal :
Filtre actif :
Inconvénient on perd du voltage donc il faut prendre un transfo avec une tension de sortie supérieure.
- LCD 31
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- Inscription Forum: 16 Sep 2006 9:48
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Merci Jean-Marie pour ces éclaircissements.
- jalhoucine
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- Localisation: Paris
undertaker88 a écrit:Petite question:
Si je on place des condensateurs en sortie d'une alimentation à découpage, c'est bon ou c'est mauvais?
En gros je remplace le torique, pont de diode par une alim à découpage et je garde la charge capacitive en sortie (en gros 40000µF)
Si ce n'est pas contraire au critère de stabilité de la boucle de régul de l’alim, alors pas de problème.
Comme celui-ci n'est pas détaillé (et que je ne vais pas, moi non plus, entrer dans le détail) on va admettre que le constructeur aura indiqué une charge capacitive maxi a ne pas dépasser s'il y a un risque.
Si ce n'est pas indiqué par le fabriquant, ça doit fonctionner avec 40000 uF (sinon il faut mettre une petite r série ou diminuer la capa)
- LCD 31
- Messages: 6130
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JAL Houcine a écrit:Merci Jean-Marie pour ces éclaircissements.
reprends ma réponse, je l'ai complété
- LCD 31
- Messages: 6130
- Inscription Forum: 16 Sep 2006 9:48
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ok je vais essayer le filtrage actif avec des Mosfet Toshiba 2SK2314 et un rad 2.5°/W.
En condo de tête en condo de sortie j'aurai des SIKOREL 10 000uF 100V (que j'utiliserai ensuite lorsque Robert64 aura pondu la régul).
Je vous tiendrais au courant des résultats.
En condo de tête en condo de sortie j'aurai des SIKOREL 10 000uF 100V (que j'utiliserai ensuite lorsque Robert64 aura pondu la régul).
Je vous tiendrais au courant des résultats.
- jalhoucine
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- Inscription Forum: 19 Sep 2003 16:34
- Localisation: Paris
Si la Rth du radiateur que tu choisi est de 2.5°C/W
et si la Rth (ch-c) (cad résistance thermique « chanel to case » ou pour un bipolaire Rthja : « junction to case ») est de 1.67 °C/W
=> alors, la résistance thermique totale sera proche de 4.5 °C/W (en arrondissant et avec un bon isolant …)
Dans le cas que tu as présenté précédemment, tu avais environ 6V de dropout dans le ballast (dropout = chute de tension)
Avec un courant de 3A maxi, cela donnerait 3A x 6V = 18 Watt dissipé en chaleur par le ballast !
Vis à vis de la T°, cela nous donne : (18 Watt) x (4.5 °C/W) = 81 °C d’élévation au niveau de la junction (du chanel pardon !)
Si l’on prend une température d’air ambiante de 50°C => T chanel = 50° + 81° = 131°C
Comme la température maximum de la puce est 150 °C, cela te laisse à peine 20°C de marge !!...
et si la Rth (ch-c) (cad résistance thermique « chanel to case » ou pour un bipolaire Rthja : « junction to case ») est de 1.67 °C/W
=> alors, la résistance thermique totale sera proche de 4.5 °C/W (en arrondissant et avec un bon isolant …)
Dans le cas que tu as présenté précédemment, tu avais environ 6V de dropout dans le ballast (dropout = chute de tension)
Avec un courant de 3A maxi, cela donnerait 3A x 6V = 18 Watt dissipé en chaleur par le ballast !
Vis à vis de la T°, cela nous donne : (18 Watt) x (4.5 °C/W) = 81 °C d’élévation au niveau de la junction (du chanel pardon !)
Si l’on prend une température d’air ambiante de 50°C => T chanel = 50° + 81° = 131°C
Comme la température maximum de la puce est 150 °C, cela te laisse à peine 20°C de marge !!...
- LCD 31
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en fait KTR utilise un rad ML97 à 3.1°/W.
Je me demande si la simulation de circuitmaker est totalement juste car j'ai remarqué que les courbes n'étais pas parfaitement juste : le redressement après les diodes n'est pas pris en compte
Je me demande si la simulation de circuitmaker est totalement juste car j'ai remarqué que les courbes n'étais pas parfaitement juste : le redressement après les diodes n'est pas pris en compte
- jalhoucine
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JAL Houcine a écrit:en fait KTR utilise un rad ML97 à 3.1°/W.
Oui mais ils ont peut-être moins de dropout que sur ta simul (ce qui diminue un peu la puissance à dissiper car P = U x I)
Pour diminuer le Dropout, il faudrait prendre un MOS Logique (à condition qu'il tienne suffisamment la tension voir Vds au démarrage)
Si tu ne pas trop chauffer, il faut regarder le paramètre Vth (Gate Threshold Voltage), celui du 2SK2314 est assez faible d’ailleurs ! et augmenter le filtrage amont pour pouvoir reduire le dropout ...
- LCD 31
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le MOS utilisé par KTR est un BUZ21.Léquivalent le plus proche c'est le 2SK2314.
- jalhoucine
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JAL Houcine a écrit:le MOS utilisé par KTR est un BUZ21.Léquivalent le plus proche c'est le 2SK2314.
Non pas tout à fait car le BUZ21 chauffera plus car son Vgsth (Gate Threshold Voltage) est supérieur (4V max au lieu de 2V max pour le 2SK2314)
Bien sur, la chute de tension du ballast sera supérieure à Vgsth car le Gate Threshold Voltage est spécifié à seulement id = 1 mA et le courant de drain sera bien supérieur !...
Pour avoir une idée plus précise il faudrait prendre en compte le faisceau de courbe ID = Fct (Vds) avec différent paramètre Vgs ... bref sans trop entrer dans le détail, le Vgsth donne déjà un idée même si la chute de tension sera évidement supérieure
- LCD 31
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