Pour un bon ampli et de qualité il faut mieux utiliser des transistors bipolaire ou des transistors MOSFET ???
Petite quesion en passant.
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Question sur transistor bipolaire ou Mosfet ???
- mich.ryckbosch
- Messages: 230
- Inscription Forum: 28 Oct 2008 9:48
- Localisation: St Sauveur proche de Toulouse
J'ai un avis mais........
je suis vraiment curieux de lire les réponses
@+
je suis vraiment curieux de lire les réponses
@+
- zorb
- Messages: 314
- Inscription Forum: 03 Oct 2005 16:22
Mosfet mieux en haut et bipolaire mieux en bas en gros c'est ce que j'ai compris
- maniacos
- Messages: 373
- Inscription Forum: 15 Oct 2005 23:59
- Localisation: 971
Mosfet : medium/aigu plus beaux, plus fins,plus raffinés,plus de fluidité.Se rapproche du son des tubes.Grave en retrait et plus mou.
Bipolaire : meilleure tenue dans le grave avec plus d'impact et de fermeté.Medium/aigu plus vulgaires, frisants souvent l'agressivité.
Sur un système multi-amplifié on marie les deux : Mosfet pour les mediums et les aigus.Bipolaire pour les graves.
Bipolaire : meilleure tenue dans le grave avec plus d'impact et de fermeté.Medium/aigu plus vulgaires, frisants souvent l'agressivité.
Sur un système multi-amplifié on marie les deux : Mosfet pour les mediums et les aigus.Bipolaire pour les graves.
- Grand_Floyd
- Messages: 1934
- Inscription Forum: 01 Mai 2005 21:28
Comment peut-on dire que le MOSFET et meilleur dans le bas du spectre et que le BIPOLAIRE est mielleur dans le haut ? Qu'est ce qui permet de dire ca, cela est il lié par la technologie même du composant ou pas ou c'est plus dans la façon de le faire travailler ?
- mich.ryckbosch
- Messages: 230
- Inscription Forum: 28 Oct 2008 9:48
- Localisation: St Sauveur proche de Toulouse
Pouvons-nous utiliser ces 2 types de transistor au sain d'un même ampli ou c'est tout simplement impossible ???
- mich.ryckbosch
- Messages: 230
- Inscription Forum: 28 Oct 2008 9:48
- Localisation: St Sauveur proche de Toulouse
mich.ryckbosch a écrit:Pouvons-nous utiliser ces 2 types de transistor au sain d'un même ampli ou c'est tout simplement impossible ???
Oui, et c'est même très courant .
Le transistor Mosfet de puissance monte plus haut en fréquence que son homologue bipolaire, ce qui présente des avantages au niveau du comportement en boucle fermée ,mais nécessite aussi un câblage plus soigné . Par rapport au bipolaire il est plus robuste et ne présente pas la phénomène de "seconde avalanche" responsable de la mort de tant d'amplis .
Son circuit de grille se comporte comme une capa variable ( effet Miller) qui peut introduire des distorsions si le schéma de commande est mal dimensionné .
Maintenant ,un composant n'a pas de "son" particulier . Ce qui fait ce fameux son ,c'est le schéma qu'on lui associe.
- Robert64
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- Inscription Forum: 12 Sep 2006 15:40
- Localisation: Sud Ouest
Bonjour,
Il faut déjà distinguer les technologies internes à chaque famille. Petit point pour l'étage de sortie :
Les mosfets lateral structure d'origine Hitachi et aujourd'hui chez Renesas, Magnatec et Exicon, sont d'une grande linéarité, d'un coefficient thermique facilitateur puisque négatif et de faible capacité d'entrée. Toutefois, leur transconductance faible rend le push-pull assez dépendant des fluctuations de la charge. Leur concept datant des années 80 et depuis inchangé, est directement lié aux applications audio.
Les mosfets vertical structure popularisés par International Rectifier sont conçus pour les applications à découpage (PWM). En audio linéaire et donc en audio, leur fort coude de conduction oblige quasiment la classe A.
Chez les bipolaires, il existe aujourd'hui des transistors Thermal Track intégrant une diode de compensation en température. Parfois même en structure Darlington comme chez Sanken, du coup, transconductance élevée et stabilité exemplaire en température. On semiconductor propose aussi ce concept mais sans darlington.
Chacune de ces technologies peut donner le pire comme le meilleur d'elle même (on peut ajouter le tube), en fonction du schéma et la mise en oeuvre. Mais il faut reconnaître que les nouveaux Thermal Track On semiconductor sont séduisants à plus d'un titre.
Jean-Marc.
Il faut déjà distinguer les technologies internes à chaque famille. Petit point pour l'étage de sortie :
Les mosfets lateral structure d'origine Hitachi et aujourd'hui chez Renesas, Magnatec et Exicon, sont d'une grande linéarité, d'un coefficient thermique facilitateur puisque négatif et de faible capacité d'entrée. Toutefois, leur transconductance faible rend le push-pull assez dépendant des fluctuations de la charge. Leur concept datant des années 80 et depuis inchangé, est directement lié aux applications audio.
Les mosfets vertical structure popularisés par International Rectifier sont conçus pour les applications à découpage (PWM). En audio linéaire et donc en audio, leur fort coude de conduction oblige quasiment la classe A.
Chez les bipolaires, il existe aujourd'hui des transistors Thermal Track intégrant une diode de compensation en température. Parfois même en structure Darlington comme chez Sanken, du coup, transconductance élevée et stabilité exemplaire en température. On semiconductor propose aussi ce concept mais sans darlington.
Chacune de ces technologies peut donner le pire comme le meilleur d'elle même (on peut ajouter le tube), en fonction du schéma et la mise en oeuvre. Mais il faut reconnaître que les nouveaux Thermal Track On semiconductor sont séduisants à plus d'un titre.
Jean-Marc.
Dernière édition par JM Plantefeve le 13 Jan 2010 10:38, édité 3 fois.
- JM Plantefeve
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Bonjour Robert,
Son circuit de grille se comporte comme une capa variable ( effet Miller)
L'effet Miller ne peut être étudié que pour les étages amplificateurs en tension, qu'ils soient à mosfets ou à bipolaires. Sur un suiveur de tension (et amplificateur en courant) comme nos push-pulls, l'impact des capacités répond à une autre mise en équation. Elektor a édité un excellent article à ce propos pour les mosfets, en décembre 1982.
Bien à toi, Jean-Marc.
Son circuit de grille se comporte comme une capa variable ( effet Miller)
L'effet Miller ne peut être étudié que pour les étages amplificateurs en tension, qu'ils soient à mosfets ou à bipolaires. Sur un suiveur de tension (et amplificateur en courant) comme nos push-pulls, l'impact des capacités répond à une autre mise en équation. Elektor a édité un excellent article à ce propos pour les mosfets, en décembre 1982.
Bien à toi, Jean-Marc.
- JM Plantefeve
- Messages: 173
- Inscription Forum: 08 Aoû 2009 10:52
- Localisation: Nord - France
JM Plantefeve a écrit:
....Chacune de ces technologies peuvent donner le pire comme le meilleur d'elle même (on peut ajouter le tube), en fonction du schéma et la mise en oeuvre...
Tout à fait d'accord ! C'est à mon avis le point essentiel
- Robert64
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- Localisation: Sud Ouest
auriez vous des schémas à me proposer sur ce type d'ampli Bipolaire + Mosfet que je puisse voir si cela est réalissable pour moi ou si c'est trop complexe pour moi ???
- mich.ryckbosch
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- Localisation: St Sauveur proche de Toulouse
mich.ryckbosch a écrit:auriez vous des schémas à me proposer sur ce type d'ampli Bipolaire + Mosfet que je puisse voir si cela est réalissable pour moi ou si c'est trop complexe pour moi ???
De mémoire, le "Crescendo" d'Elektor était comme çà, mais il y en a plein d'autres
- Robert64
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- Localisation: Sud Ouest
Si vous en connaissez d'autre je suis preneur.
- mich.ryckbosch
- Messages: 230
- Inscription Forum: 28 Oct 2008 9:48
- Localisation: St Sauveur proche de Toulouse
on peut même parler des composants,look super lien : http://b.schmerber.9online.fr/hp_enceinte/condo.htm http://b.schmerber.9online.fr/hp_enceinte/lesselfs.htm
http://b.schmerber.9online.fr/hp_enceinte/resistances.htm
http://b.schmerber.9online.fr/hp_enceinte/resistances.htm
- maniacos
- Messages: 373
- Inscription Forum: 15 Oct 2005 23:59
- Localisation: 971
Je me suis baladé sur le site et je ne trouve pas se que tu a voulu partager.
- mich.ryckbosch
- Messages: 230
- Inscription Forum: 28 Oct 2008 9:48
- Localisation: St Sauveur proche de Toulouse
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