Projet : Ampli à base de LME49830 - "Gran Torino 150"

[thierry38]

bonne chose deja si tu connait la cause.
un transi en court circuit ne provoque pas la destruction des autres normalement...mais bon,on sait jamais ce qui s'enchaine dans ces cas là.


ouais,les fusibles rapides...
j'en ai toujours montés sur mes amplis,les transistors dégagent toujours en premier...un fusible c'est un bout de câble qui chauffe et qui fond,(ça prend du temps ) les semiconducteurs sont beaucoup plus réactif.
je crois que le sujet avait deja été abordé,mais ils ne protégeront jamais contre un court circuit.c'est plus pour eviter de cramer tout ce qui en aval,et encore j'ai cramé des hp avec des fusibles rapides (bon c'etait pas des subwoofers avec des bobines de 100 mm de diametre).

@+

[stf_adonf]

extrait:
Loi de Murphy
Un transistor protégé par un fusible à fusion rapide protège le fusible en grillant le premier.

Tu peux peut-être t'économiser l'appairage des mosfets, vu la présence de la résistance de source.
@++

[Yuli_35]

Salut Adonf,

Tu peux peut-être t'économiser l'appairage des mosfets, vu la présence de la résistance de source.

Pourquoi ?

Merci.

[stf_adonf]

Salut Yuli_35

Quand les transistors de sortie sont appairés on peut se passer de résistance d'émetteur ou de source, les courants circulant dans chaque transistor étant sensiblement identiques.
Sans "appairage" la disparité des beta ou de transconductance va déséquilibrer le courant circulant dans chaque transistor, on rajoute alors une résistance sur l'émetteur ou sur la source de faible valeur permettant de retrouver l'équilibre.
La présence sur les premières photos de ces résistances sur le pcb (0.22 ohms) me laisse penser que tes mosfets ne sont pas appairés (ou alors le concepteur a voulu jouer la prudence )

[Yuli_35]

re salut Adonf, et merci pour l'explication :

ou alors le concepteur a voulu jouer la prudence

Le concepteur vend le PCB seul si l'on veut...; voilà pourquoi toutes les options sont possible.

voici le schéma logique de l'étage de sortie :


Avec les Valeurs suivantes :
Rss=0.22Ohm
Rz=220Ohm
a = Zener 9.1V
b = 1N4148
TP1/TP2: IRFP9240
TN1/TN2 : IRFP240

Pour les Condos en haut et en base c'est du découplage ... ne sert a rien pour la compréhension du montage.
et en sortie .... Filtrage classique...

Et donc avec ce type de montage ... des MOS non appairées pourraient fonctionner ?
On Me propose es IRFP Appairées par type ... genre IRFP240 appairées ou IRFP 9240 Appairées mais pas appairées entres elles.

Au dela de ca, quand on dit appairer ca sous entend quoi exactement ?

[sg2]

'soir,

Désolé pour tes mésaventures.

Tu trouveras des kilomètres de littérature sur le sujet de l'appairage des transistors.

L'idée générale est qu'ils doivent avoir un "gain" sensiblement égal, de façon à ce qu'ils fournissent sensiblement la même fraction du courant (de repos, de sortie).

Dans le cas des MOSFET, on ne parle pas de gain (qui se définirait en tension ou en courant) mais de transconductance, car un MOSFET se commande en tension et répond en courant. Tu peux tout à fait associer la notion de gain à la transconductance, en considérant que ce sera courant drain/source = gain * tension gate.

Les MOSFET sont surtout faits pour faire de la commutation tout ou rien à faible Rds, donc la zone linéaire de la caractéristique Ids=f(Ug) est très étroite, et à origine et pente variable d'un transistor à l'autre, y compris sur un même wafer !!!

Donc l'appairage en transconductance consiste à mesurer au moins deux points de la caractéristique dans la zone linéaire, pour tous les transistors d'un GROS batch, puis à grouper ceux pour lesquels ces deux points sont les plus proches.

Les deux points de mesure sont rendus indispensables par le double décalage (en origine et en pente) de la zone linéaire dans la caractéristique.

Espérant avoir été clair,
--
Stéphane

[stf_adonf]

Oui ça peut fonctionner (d'autant mieux si le courant de repos reste modeste) ainsi en classe AB.
Les transistors de sortie sont appairés par groupe les N et les P, appairer les N avec les P n'a de sens que si les caractéristiques des transistors sont identiques ou proches (autrement dit les transistors sont vraiment complémentaires) dans ce cas précis IRFP240 et IRFP9240 ne sont pas exactement complémentaires le IRFP9140 conviendrait mieux sauf que son VDSmax est deux fois moindre 100V contre 200V pour le IRFP240 (solution à réserver si la tension de rail est <50V).
Pour l'appairage tu peux consulter l'excellent site de Jean-marc Plantefève la construction de pas mal d'amplis mosfet très connus ici y est décrite
http://pagesperso-orange.fr/jm.plantefeve/

@++

[Yuli_35]

Ok MERCi ... je Fonce.

[Yuli_35]

Cela fait quelques jours que je n'ai pas donné de nouvelles ...

J'ai identifié très certainement ce qui a été à l'origine du problème.
En démontant/dessoudant tous les composants de l'étage de sortie je me suis aperçu que l'un des fils qui reliaient le MOS que j'ai utilisé pour le VGS multiplier n'était plus raccordé au CI de l'ampli.
Le fil qui allait à la gate du mos s'est coupé (je ne sais pas comment), et au final c'est ce qui a grillé mon ampli.
En clair le MOS ne faisant plus son office, le biais est monté au maximum (à savoir 16V !!!) et donc l'étage de sortie a grillé .
Cette explication est bien plus crédible que les autres et explique aussi le fait que tous les MOS aient grillé en 3-4secondes.

Bref .... Je crois que l'explication était là.

En attendant la réception des IRFP (que je viens de recevoir), j'ai vérifié le fonctionnement de l'IRF520 faisant office de VGS multiplier. C'est bon, il n'a pas cramé durant l'opération.
J'ai donc remplacé
- les Resistances dur les gates 220Ohm
- les résistances sur les Sources 0.22Ohm
- 2 diodes zener et 1N4148

CE soir si tout se passe bien je vais tenter de monter l'ampli non pas avec les IRFP240/9240, mais avec des BDW93c/BDW94c.
Ce test avec les BJT/ darlington, m'a été conseillé afin de vérifier que tout était ok, et permettait de tester a moindres frais l'étage de sortie.
En effet les BDW coutent 80cts alors que les IRFP , c'est un poil plus cher
Dès que j'ai des news je poste....

[catsiano]

salut Yuli

pense a retirer la resistance qui est en serie avec le transistor X de VBE
la 1k2 dans le pdf

elle est caclulé pour avoir entre - 10 et -11mV de coeficient sur le transistor
par rapport au courant de bias du circuit LME (3mA dans le pdf)

pour des darlingtons si tu retire pas cette resistance ca fonctionne pas ...

[Yuli_35]

Salut catsiano,

Merci, pour la précision et l'explication.
En fait avec le VGS multiplier que j'ai mis, j'ai déjà viré la 1.2KOhm.
Et mes valeurs de résistances ne sont pas les mêmes.
J'utilise un IRF520 à la place d'un NPN (je sais plus la référence).... bref, j'ai du revoir le paramétrage du VGS.

Pour le biais je croyais que c'était 2mA. dans la doc NS .
ici en page 13 : http://www.national.com/ds/LM/LME49830.pdf
Maintenant j'ai peut être pas tout compris - je ne suis pas un expert encore... j'apprends...

en tout cas je vais tester là dans quelques heures ... alors je vous tiens au "courant"

a+ gilles.

[Yuli_35]

Premiers tests concluants

Alimentation en 28 V (mise en série d'ampoules a incandescence de 75W sur l'alim vers l'ampli)
Polarisation de 23mv avec les rêglages normaux et définitifs.
Courant de dolarisation 0.1A environ.
Puissance dissipée par le transistor = 2.8W (ridicule par rapport au radiateur).
a ce sujet après 15 minutes la polarisation n'avais pas bougé d'un poil .... il faut dire que le radiateur est resté froid.
ben oui ... 5.6 W dans un radiateur de 0.3°C/Watt ... ca fait pas lourd en augmentation de chaleur.

La suite dans pas trop longtemps.....

La suite .... Mise en place des IRFP240/9240.
Et test avec alimentation en 28V.
Si Ok ... passage en 50V.

a+ Gilles.

[thierry38]

salut

j'avais testé des mos pour la polar des mos de sortie,c'etait vraiment ch..ant à stabiliser.

les npn reagissent beaucoup plus vite en chute de tension (surtout multipliée) en fonction de la temperature.
on obtient generalement beaucoup plus de stabilité pour des variations importantes de t°.la plupart des schemas mosfet utilisent des npn.

[catsiano]

oui je confirme c'est bien 2mA pour le bias c'est important faut le noter ...

tu a mis quoi comme valeur resistif entre gate et source de l'irf 520 ?

[Yuli_35]

Hello catsiano,

pour la valeur des résistances j'ai 4.7K entre Drain et gate.
et j'ai 1.2K+5Kohm (potar) entre gate et source.

Thierry,
Avant d'avoir ce problème ou j'ai tout fait griller (problème venant de moi) , je n'avais pas de problème de convergence de la polarisation.

Autrement ....
J'ai donc monté les IRFP.
Je branche ... avec une ampoule en série sur l'ampli pour éviter de tout griller, pas de problèmes. c'est bon. ouf !
Je branche sans l'ampoule à incandescence. là aussi ça démarre et ça a l'air ok.
Cependant je trouve que la polarisation a un souci, car je trouve une trop petite tension aux bornes de la 0.22.
Je teste sur le transistor d'a coté , et là j'ai bien la bonne valeur.

Au final j' ai 2 transistors pour lesquels la tension aux bornes des 0.22 est Ok, mais c'est pas ok sur 2 des transistors.
en gros j'ai une seule paire (IRFP240/IRFP9240) de MOS qui fonctionne.
J'ai vérifié mes soudure sur les résistances des gates ... etc et je ne vois pas d'ou ça peut venir.
surtout que si ca fonctionne sur 2 transistors cela devrait fonctionner sur tous les transistors.

Ou alors j'ai encore 2 MOS de morts.

Pour info : Tension sur les 0.22Ohms :
TN1 : 35mv
TN2: 6.4mv
TP1 : 35mV
TP2 : 3mV.

Note: Les transistors qui ne marchent pas sont aux emplacements ou j'ai testé les BDW ce matin- mais théoriquement cela n'a aucun impact.
Note2 : je vais mesurer sur l'autre ampli qui fonctionne pour voir ce qui se passe.